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会员可分享《电子技术基础项目教程.ppt》,该教程能在线阅读,更多有关《电子技术基础项目教程.ppt(63页)》的内容可在知学网上查找。 书名:电子技术基础项
生条光谱主要用于分析生条各种周期性不匀的原因,及时排除设备或技术上的问题。在机械波分析中,需要区分基波和各谐波,其中谐波频率是基波频率的整数倍。基波和谐波有自
5G-Advanced自2023年底在3GPPRelease-18中正式亮相以来,持续推动行业在大规模MIMO、超低时延通信和海量连接等关键性能上的突破,为2030年6G的商用落地铺平道路,同时也显著带动了射频前端市场的扩张。根据YoleGroup的预测,到2030年,全球射频前端市场规模将攀升至697亿美元。在此技术...
天眼查显示,上海陆芯电子科技有限公司“一种IGBT器件制备方法及IGBT器件”近日取得一项名为“一种用于修整研磨轮的装置和方法”的专利,授权公告号为CN118156130B,授权公告日为2025年3月14日,申请日为2024年4月9日。本发明公开了一种IGBT器件制备方法及IGBT器件。该IGBT器件制备方法包括:提供...
江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”的专利(申请公布号:CN118969828A),公布日期为2024年11月15日。该专利属于半导体技术领域,尤其是一种新型混合栅IGBT结构及其制造方法。该结构包含第一导电类型的半导体衬底,衬底正面生长有相同导电类型的外延层,外延层正面...
江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”的新专利,申请公布号为CN118969829A,申请公布日为2024年11月15日。该专利属于半导体技术领域,特别是一种SiC基RC-IGBT的结构及其制造工艺。其核心在于采用SiC材料制备半导体衬底,并在衬底正面构建元胞结构,背...
江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”的专利(申请公布号:CN118969825A),申请公布日为2024年11月15日。该专利属于半导体技术领域,尤其关注IGBT器件的结构和制备工艺。其核心在于一种创新的纵向变掺杂IGBT结构,该结构包含:第一导电类型的半导体衬底;衬底正...
关于I2C与SMBus,许多人很少去谈论与了解两者的细节差异,包括很多国外的简报,文章也经常将两者混写、交杂描述、交替运用。 确实,在一般运用下,I2C Bus与SMBus没有太大的差别,从实际接线上看也几乎无...
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